My國UVLED技術(shù)的開發(fā)進(jìn)度

針對目前UVLED技術(shù)全球整體的發(fā)展情況，小編就我國LED與目前國外UV LED（UVLED）的發(fā)展情況做一個(gè)簡單的對比分析。 跟大家分享一下：
近期，我國的UV LED（uvled））技術(shù)應(yīng)用發(fā)展比較快。 目前，深紫外LED（UVLED）主要應(yīng)用于生物醫(yī)藥、防偽識別、凈化（水、空氣等）、計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)存儲和軍事等領(lǐng)域。 并且隨著技術(shù)的發(fā)展，會不斷出現(xiàn)新的應(yīng)用來取代原有的技術(shù)和產(chǎn)品。UV LED具有廣闊的市場應(yīng)用前景，例如UVLED燈光療儀是未來非常流行的醫(yī)療器械，但目前的技術(shù)還在進(jìn)步中。 長。
面對國外UVLED相關(guān)技術(shù)的發(fā)展，國外仍處于領(lǐng)先地位。 例如，日本憑借在藍(lán)光LED領(lǐng)域的先發(fā)優(yōu)勢，在UVLED方面方面的進(jìn)步舉世矚目。 尤其是日亞化在365nm UV-LED的研究上遙遙領(lǐng)先； 美國在深紫外研究方面處于領(lǐng)先地位，但近年來已被日本超越； 臺灣和韓國起步較晚，在這方面取得了一些進(jìn)展； 近年來，國內(nèi)該領(lǐng)域發(fā)展迅速。 與藍(lán)光不同，UV LED目前處于技術(shù)發(fā)展期，專利和知識產(chǎn)權(quán)的限制較少，有利于占領(lǐng)和引領(lǐng)未來的技術(shù)制高點(diǎn)。 國內(nèi)在UV LED設(shè)備、材料和器件方面已經(jīng)有了一定的積累，目前正在積極向應(yīng)用模塊方向發(fā)展。UVLED在形成規(guī)模產(chǎn)業(yè)之前，需要國家的引導(dǎo)和支持，才能在核心技術(shù)上搶先一步。
未來的主要研究目標(biāo)是研究高質(zhì)量的深紫外材料外延生長技術(shù)； 高Al含量AlGaN材料生長技術(shù)和摻雜技術(shù)； 深紫外LED結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)；300nm以下波長LED器件芯片制作工藝和封裝技術(shù)；UV源模塊開發(fā) 和在醫(yī)療、滅菌和凈化應(yīng)用中的應(yīng)用。

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